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據(jù)中國(guó)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)消息，長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司（下稱“長(zhǎng)鑫科技”或公司）的上市輔導(dǎo)狀態(tài)變更“輔導(dǎo)驗(yàn)收”，意味著長(zhǎng)鑫科技IPO輔導(dǎo)完成，輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為中金公司與中信建投。自7月初公司啟動(dòng)上市輔導(dǎo)至輔導(dǎo)完成，耗時(shí)約3個(gè)月。若成功上市，長(zhǎng)鑫科技將成為A股“存儲(chǔ)芯片第一股”。

推出多款DRAM商用產(chǎn)品

官網(wǎng)信息顯示，創(chuàng)立于2016年的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)巨頭——長(zhǎng)鑫科技是一家一體化存儲(chǔ)器制造公司，專注于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司全資子公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（下稱“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)”）作為一體化存儲(chǔ)器制造商，專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。

目前，公司已推出多款DRAM商用產(chǎn)品，涵蓋DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5系列，國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)通用型DRAM大規(guī)模量產(chǎn)的IDM企業(yè)，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。根據(jù)官網(wǎng)介紹，公司LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。LPDDR5芯片預(yù)計(jì)也將賦能更多移動(dòng)設(shè)備，滿足數(shù)字時(shí)代日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。

東方證券研報(bào)指出，公司計(jì)劃在2025年底前交付第三代高帶寬存儲(chǔ)芯片（HBM3）樣品，并預(yù)計(jì)從2026年開始全面量產(chǎn)，并計(jì)劃于2027年開發(fā)HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版）。

截圖來源：長(zhǎng)鑫科技官網(wǎng)

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)市占率有望提升至8%

存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)的第二大細(xì)分領(lǐng)域，規(guī)模僅次于邏輯芯片，且相比其他半導(dǎo)體品類，具備更強(qiáng)的周期性特征。

當(dāng)前，AI已成為驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)的核心動(dòng)力，其引發(fā)的算力革命正深度重構(gòu)存儲(chǔ)芯片行業(yè)的供需格局。全球AI算力競(jìng)爭(zhēng)已進(jìn)入白熱化階段，“以存代算”的技術(shù)理念正加速落地。據(jù)中研普華數(shù)據(jù)，2024年中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)4600億元人民幣，預(yù)計(jì)2025年將突破5500億元人民幣。全球市場(chǎng)方面，集邦咨詢（TrendForce）預(yù)測(cè)2025年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模有望突破2300億美元，AI大模型訓(xùn)練與數(shù)據(jù)中心建設(shè)成為核心驅(qū)動(dòng)力。

長(zhǎng)期以來，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)主要由美光、三星等國(guó)際巨頭壟斷。不過，不過，這一局面正迎來改變，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)的崛起開始打破壟斷。

2025年第一季度，被譽(yù)為“國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)雙子星”的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的季度營(yíng)收均突破10億美元大關(guān)。東方證券研報(bào)進(jìn)一步指出，據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Counterpoint預(yù)測(cè)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將在去年大幅增產(chǎn)的基礎(chǔ)上，2025年有望實(shí)現(xiàn)近50%的產(chǎn)能增長(zhǎng)；到2025年末，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)按比特出貨量計(jì)市占將從一季度的6%提升到8%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年DDR5/LPDDR5的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從一季度的1%左右分別提升到7%和9%。

截圖來源：德邦證券

直接或間接參股公司曝光

根據(jù)公開報(bào)道，長(zhǎng)鑫科技市場(chǎng)估值已超千億元，這一估值水平有望位居A股存儲(chǔ)芯片板塊前列。

天眼查公布的信息顯示，公司最新注冊(cè)資本超過600億元，發(fā)明專利主要涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)器版圖等領(lǐng)域。股東信息顯示，公司無控股股東，但地方國(guó)資背景濃厚，且多家外資入股。合肥清輝集電企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）、合肥長(zhǎng)鑫集成電路有限責(zé)任公司、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司為公司第一至第三大股東，合肥清輝集電企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）持股比例超過20%。此外，多家知名投資機(jī)構(gòu)紛紛入局，包括皖投集團(tuán)、基石資本等。

結(jié)合股權(quán)穿透進(jìn)一步分析，A股公司方面，直接或間接參股公司有兆易創(chuàng)新、朗迪集團(tuán)、正帆科技等。

兆易創(chuàng)新直接持股長(zhǎng)鑫科技，兆易創(chuàng)新董事長(zhǎng)朱一明同時(shí)擔(dān)任長(zhǎng)鑫科技董事長(zhǎng)，雙方在DRAM技術(shù)研發(fā)及代工銷售上深度協(xié)同。兆易創(chuàng)新是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭與MCU領(lǐng)軍者，其存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收占比較高，其最新市值超過1400億元。?

朗迪集團(tuán)通過認(rèn)購(gòu)寧波燕創(chuàng)德鑫創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）的8000萬元份額，間接獲得了長(zhǎng)鑫科技的股權(quán)。

正帆科技在投資者關(guān)系互動(dòng)平臺(tái)回復(fù)稱，其對(duì)長(zhǎng)鑫科技有早期投資。正帆科技是長(zhǎng)鑫科技的長(zhǎng)期合作伙伴和重要供應(yīng)商，跟長(zhǎng)鑫合肥、北京、上海廠均有合作。

此外，阿里巴巴（中國(guó)）網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司直接持有長(zhǎng)鑫科技，港股陽光保險(xiǎn)通過陽光人壽保險(xiǎn)股份有限公司間接持股。

從市場(chǎng)表現(xiàn)來看，截至10月10日，直接或間接參股長(zhǎng)鑫科技的公司年內(nèi)平均漲幅超過15%，兆易創(chuàng)新、朗迪集團(tuán)漲幅居前。兆易創(chuàng)新年內(nèi)獲得近200家機(jī)構(gòu)調(diào)研，公司目前45nm NOR Flash的產(chǎn)能在持續(xù)爬坡中，預(yù)計(jì)到今年底對(duì)全年的收入貢獻(xiàn)可以提升到15%左右，預(yù)計(jì)于2026年補(bǔ)齊45nm NOR Flash的產(chǎn)品線，32Mb及以上的容量都將實(shí)現(xiàn)45nm產(chǎn)品的量產(chǎn)。

產(chǎn)業(yè)鏈公司業(yè)績(jī)有望持續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)

另外，根據(jù)華鑫證券梳理，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈公司包括精智達(dá)、深科技、北方華創(chuàng)、華海清科、通富微電、京儀裝備等。

從業(yè)績(jī)來看，上述公司2024年均實(shí)現(xiàn)盈利，且機(jī)構(gòu)一致預(yù)測(cè)2025年、2026年凈利潤(rùn)有望持續(xù)增長(zhǎng)。

精智達(dá)獲機(jī)構(gòu)一致預(yù)測(cè)2025年凈利潤(rùn)增幅有望超過130%，2026年凈利潤(rùn)增幅或超過50%。公司此前披露，其半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件測(cè)試設(shè)備主要用于在DRAM等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的晶圓制造環(huán)節(jié)對(duì)晶圓裸片進(jìn)行電參數(shù)性能和功能測(cè)試，或在封裝測(cè)試環(huán)節(jié)對(duì)芯片顆粒進(jìn)行電參數(shù)性能和功能測(cè)試，以保證出廠的芯片性能和功能指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求；公司主要客戶包括長(zhǎng)鑫科技、沛頓科技等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商。

京儀裝備獲機(jī)構(gòu)一致預(yù)測(cè)2025年、2026年凈利潤(rùn)增幅持續(xù)超過40%，在3D NAND存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，128層以上（含128層）為業(yè)內(nèi)先進(jìn)制程，公司產(chǎn)品已經(jīng)適配國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的192層3D NAND存儲(chǔ)芯片制造產(chǎn)線，已廣泛用于長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯國(guó)際、廣州粵芯等國(guó)內(nèi)主流集成電路制造產(chǎn)線。

通富微電獲機(jī)構(gòu)一致預(yù)測(cè)2025年、2026年凈利潤(rùn)增幅持續(xù)超過30%，公司涉及存儲(chǔ)芯片的封測(cè)業(yè)務(wù)，與主要合作伙伴深入合作。公司在DRAM和NAND方面持續(xù)布局，產(chǎn)品覆蓋PC端、移動(dòng)端及服務(wù)器。

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校對(duì)：呂久彪